“电子密度”的版本间差异
跳到导航
跳到搜索
无编辑摘要 |
无编辑摘要 |
||
第1行: | 第1行: | ||
*在完全电离区复合线正比于电子密度平方,因此复合线的强度可以估算电子密度 |
*在完全电离区复合线正比于电子密度平方,因此复合线的强度可以估算电子密度 |
||
*在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定, |
*在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。 |
||
因此只是正比于电子密度。 |
|||
*[SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。 |
*[SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。 |
2020年11月19日 (四) 11:17的版本
- 在完全电离区复合线正比于电子密度平方,因此复合线的强度可以估算电子密度
- 在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。
- [SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。