“电子密度”的版本间差异
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*The electron density serves as a robust proxy for the hydrogen gas density in H ii regions and can affect the strength of collisionally-excited lines. |
*The electron density serves as a robust proxy for the hydrogen gas density in H ii regions and can affect the strength of collisionally-excited lines. |
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* 中性气体中的电子主要来自于C，C的电离势小于13.6，可以正比于[C/H], <math> n_e \propto 2\times 10^{-4}n_H </math> |
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*在完全电离区复合线正比于电子密度平方，因此复合线的强度可以估算电子密度 |
*在完全电离区复合线正比于电子密度平方，因此复合线的强度可以估算电子密度 |
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*在碰撞激发的发射线中，当电子密度低的时候，碰撞退激发无效，辐射退激发和碰撞激发平衡，正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候，碰撞退激发很有效，辐射只是由自发辐射决定，因此只是正比于电子密度。 |
*在碰撞激发的发射线中，当电子密度低的时候，碰撞退激发无效，辐射退激发和碰撞激发平衡，正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候，碰撞退激发很有效，辐射只是由自发辐射决定，因此只是正比于电子密度。 |
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*[SII] 6716,6731Å双线，[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大，高能级的很容易被碰撞激发(临近的双线能级)，所以临界密度比较低。见图 |
*[SII] 6716,6731Å[[双线]]，[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大，高能级的很容易被碰撞激发(临近的双线能级)，所以临界密度比较低。见图 |
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[[文件:Doubleline.jpg|缩略图]] |
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*HII区，红外波段的金属离子的精细结构线，由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关，只是和密度有关。 |
*HII区，红外波段的金属离子的精细结构线，由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关，只是和密度有关。（就是这时候主要是碰撞激发的） |
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:*比如 CII158um |
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2024年3月15日 (五) 14:15的最新版本
- The electron density serves as a robust proxy for the hydrogen gas density in H ii regions and can affect the strength of collisionally-excited lines.
- 中性气体中的电子主要来自于C，C的电离势小于13.6，可以正比于[C/H],
- 在完全电离区复合线正比于电子密度平方，因此复合线的强度可以估算电子密度
- 在碰撞激发的发射线中，当电子密度低的时候，碰撞退激发无效，辐射退激发和碰撞激发平衡，正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候，碰撞退激发很有效，辐射只是由自发辐射决定，因此只是正比于电子密度。
- [SII] 6716,6731Å双线，[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大，高能级的很容易被碰撞激发(临近的双线能级)，所以临界密度比较低。见图
- HII区，红外波段的金属离子的精细结构线，由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关，只是和密度有关。（就是这时候主要是碰撞激发的）
- 比如 CII158um