“电子密度”的版本间差异

来自Shiyin's note
跳到导航 跳到搜索
无编辑摘要
无编辑摘要
第3行: 第3行:
*在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。
*在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。
*[SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。
*[SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。
*HII区,红外波段的金属离子的精细结构线,由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关,只是和密度有关。

2020年11月19日 (四) 11:22的版本

  • 在完全电离区复合线正比于电子密度平方,因此复合线的强度可以估算电子密度
  • 在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。
  • [SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。
  • HII区,红外波段的金属离子的精细结构线,由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关,只是和密度有关。