“电子密度”的版本间差异
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*在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。 |
*在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。 |
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*[SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。 |
*[SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。 |
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*HII区,红外波段的金属离子的精细结构线,由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关,只是和密度有关。 |
2020年11月19日 (四) 11:22的版本
- 在完全电离区复合线正比于电子密度平方,因此复合线的强度可以估算电子密度
- 在碰撞激发的发射线中,当电子密度低的时候,碰撞退激发无效,辐射退激发和碰撞激发平衡,正比于电子密度的平方。当电子密度高的时候,碰撞退激发很有效,辐射只是由自发辐射决定,因此只是正比于电子密度。
- [SII] 6716,6731Å双线,[OII] 3726,3729Å双线的线比可以来推算电子密度。因为这两条线的临界密度差异比较大,高能级的很容易被碰撞激发,所以临界密度比较低。
- HII区,红外波段的金属离子的精细结构线,由于hv<<KT,因此两个能级上的离子数目与温度无关,只是和密度有关。